太空应用领域的曙光!NASA展示纳米级互补真空场(2)
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【摘 要】:要知道,传统设备遭受辐射撞击会在沟道半导体和氧化物材料上产生各种缺陷,导致器件导通状态电流降低、漏电流增加,这些缺陷会慢慢积累并最终导致
要知道,传统设备遭受辐射撞击会在沟道半导体和氧化物材料上产生各种缺陷,导致器件导通状态电流降低、漏电流增加,这些缺陷会慢慢积累并最终导致设备故障甚至是损毁。
这种晶体管不惧辐射根源在于内部没有半导体通道或介电材料,其发射极和收集极之间是真空的,从而使其不受到宇宙辐射、太阳耀斑等恶劣条件的干扰。
目前,Jin-Woo Han 和他的团队正在更进一步探究这种晶体管的潜力,虽然当下还是采用标准半导体制造工艺来制造的,但这并非是最为理想的材料,比如硅的电荷发射功率不足,接下来还将试验碳化硅,氮化镓,石墨烯和碳纳米管在内的多种材料。
文章来源:《CT理论与应用研究》 网址: http://www.ctllyyyyj.cn/zonghexinwen/2021/0304/675.html